The following diagram shows the movement of electrons and holes when the bias of a Si PND changes from a forward bias to a reverse bias During a forward bias, carriers are injected and current flows through the recombination of holes and electrons. 하기 그림은 Si-PND의 바이어스가 순 바이어스에서 역 바이어스로 이행 시, 전자와 정공의 움직임을 나타낸 것입니다. 순 바이어스 시에는 캐리어가 주입되어 정공과 전자의 재결합으로 인해 전류가 흐릅니다.
The following diagram shows the movement of electrons and holes when the bias of a Si PND changes from a forward bias to a reverse bias During a forward bias, carriers are injected and current flows through the recombination of holes and electrons. 하기 그림은 Si-PND의 바이어스가 순 바이어스에서 역 바이어스로 이행 시, 전자와 정공의 움직임을 나타낸 것입니다. 순 바이어스 시에는 캐리어가 주입되어 정공과 전자의 재결합으로 인해 전류가 흐릅니다.