mosfet 예문

• What are MOSFETs? – MOSFET Switching Characteristics and Temperature Characteristics
  MOSFET란? – 기생 용량과 그 온도 특성
• What are MOSFETs? – MOSFET Switching Characteristics and Temperature Characteristics
  MOSFET란? – 기생 용량과 그 온도 특성
• The switch S1 is replaced with a MOSFET, and S2 with a Schottky diode.
  스위치 S1은 MOSFET로 대체되며, S2는 쇼트키 다이오드로 대체되어 있습니다.
• This greatly improves both conduction losses and switching losses of the MOSFET as a switch.
  이는 스위치, 즉 MOSFET의 도통 손실과 스위칭 손실을 모두 크게 개선합니다.
• In other words, if VGS is at least as high as the threshold voltage, the MOSFET turns on.
  즉, VGS 가 임계치 이상의 전압이면, MOSFET는 ON됩니다.
• Fairchild Semiconductor and Infineon Technologies Reach License Agreement for Innovative Automotive MOSFET H-PSOF TO-Leadless Packaging Technology
  페어차일드 반도체와 인피니언 테크놀로지스, 혁신적인 차량용 MOSFET H-PSOF TO-리드리스 패키징 기술에 대해 라이선스 계약 체결
• Fairchild Semiconductor and Infineon Technologies Reach License Agreement for Innovative Automotive MOSFET H-PSOF TO-Leadless Packaging Technology
  페어차일드 반도체와 인피니언 테크놀로지스, 혁신적인 차량용 MOSFET H-PSOF TO-리드리스 패키징 기술에 대해 라이선스 계약 체결
• Our focus at Infineon lies on supplying tailored LED driver ICs, MOSFETs and sensors for commercial lighting and automotive lighting applications.
  인피니언은 상업용 및 자동차 조명 용으로 맞춤화된 LED 드라이버 IC, MOSFET, 센서를 제공합니다.
• In fact, the adoption of an SJ MOSFET is an essential point pertaining to miniaturization, and will be discussed in detail later.
  실제로 SJ MOSFET의 채용은 소형화에도 관련되는 핵심 포인트이므로, 추후에 자세하게 설명하도록 하겠습니다.
• The blocking diodes prevent the built-in diode of the MOSFET from turning on and eliminate the large reverse recovery current of the diodes.
  블로킹 다이오드는 MOSFET 의 내장된 다이오드가 작동하는 것을 막아 다이오드의 큰 역회복 전류를 제거해준다.
• The blocking diodes prevent the built-in diode of the MOSFET from turning on and eliminate the large reverse recovery current of the diodes.
  블로킹 다이오드는 MOSFET 의 내장된 다이오드가 작동하는 것을 막아 다이오드의 큰 역회복 전류를 제거해준다.
• Fairchild Semiconductor and Infineon Technologies Reach License Agreement for Innovative Automotive MOSFET H-PSOF TO-Leadless Packaging Technology Solutions for Your SuccessTM Contact Us My Fairchild
  페어차일드 반도체와 인피니언 테크놀로지스, 혁신적인 차량용 MOSFET H-PSOF TO-리드리스 패키징 기술에 대해 라이선스 계약 체결 成功へのソリューション お問い合わせ My Fairchild
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• However, the B1505A's test fixture can accept a wide variety of devices, such as power MOSFETs, diodes, IGBTs etc. regardless of their size or shape.
  그러나 B1505A의 테스트 픽스처는 크기나 모양에 관계없이 전력 MOSFET, 다이오드, IGBT 등과 같은 다양한 디바이스를 사용할 수 있습니다.
• Click for hi-res image The FAN7930 uses a voltage-mode PWM which compares an internal ramp signal to the error amplifier output, resulting in a MOSFET turn-off signal.
  FAN7930은 내부의 Ramp 시그널을 에러 증폭기 출력과 비교하여 MOSFET의 턴-오프 시그널을 제어하는 전압 모드 PWM을 사용한다.
• To continue, in general the on-resistance of a MOSFET depends heavily on the element size . This is true for both planar MOSFETs and for SJ MOSFETs.
  일반적으로 MOSFET의 ON 저항은 소자 사이 즈에 크게 의존합니다. 이는 Planar MOSFET, SJ MOSFET 모두 동일합니다.
• To continue, in general the on-resistance of a MOSFET depends heavily on the element size . This is true for both planar MOSFETs and for SJ MOSFETs.
  일반적으로 MOSFET의 ON 저항은 소자 사이 즈에 크게 의존합니다. 이는 Planar MOSFET, SJ MOSFET 모두 동일합니다.
• To continue, in general the on-resistance of a MOSFET depends heavily on the element size . This is true for both planar MOSFETs and for SJ MOSFETs.
  일반적으로 MOSFET의 ON 저항은 소자 사이 즈에 크게 의존합니다. 이는 Planar MOSFET, SJ MOSFET 모두 동일합니다.
• By using the FDMC8010, designers can move from a 5mm x 6mm to a 3.3mm x 3.3mm package, saving 66 percent of the MOSFET footprint area.
  FDMC8010를 사용함으로써 설계자들은 5mm x 6mm 패키지에서 3mm x 3.3mm 패키지로 이동하여 MOSFET 풋프린트 공간을 66% 절감할 수 있다.
• By using the FDMC8010, designers can move from a 5mm x 6mm to a 3.3mm x 3.3mm package, saving 66 percent of the MOSFET footprint area.
  FDMC8010를 사용함으로써 설계자들은 5mm x 6mm 패키지에서 3mm x 3.3mm 패키지로 이동하여 MOSFET 풋프린트 공간을 66% 절감할 수 있다.